機能デバイス領域

中島寛 教授

中島 教授

活動紹介

本領域では、次世代半導体産業の要求に応える基板材料、薄膜材料、新規プロセス技術、新機能デバイスに関する研究を行うと共に、高度情報社会の実現に貢献できる先端的、独創的な半導体関連研究をオープンイノベーション方式で推進する。当センターにはクリーンルームが設置されており、半導体研究を実施する環境は整っている。

研究領域の概要

本領域では、以下の5つの研究課題を進めている。

  1. Si/Ge CMOSプロセス・デバイス開発
  2. Ge オプトエレクトロニクス技術開発
  3. 低電圧駆動GeトンネルFET技術開発
  4. 高温動作用SiCデバイス開発
  5. 二次元材料の電子デバイス応用研究(同センター吾郷教授との共同研究)
当領域の研究テーマ

当領域の研究テーマ

プロジェクト名

高度情報社会の実現に貢献する
次世代ULSI用プロセス・デバイスの研究開発

プロジェクトリーダー

中島 寛 教授

(センター長)

筑紫キャンパス
グローバルイノベーションセンター 3階
TEL:092-583-7872 FAX:092-583-8962
mail

王 冬 准教授

(九州大学総合理工学府
国際化教育推進担当)

筑紫キャンパス 総合理工学府 E棟 308号(3階)
TEL:092-583-7637 FAX:092-583-8962
mail

山本 圭介 助教

(九州大学総合理工学研究院 卓越研究員)

筑紫キャンパス
グローバルイノベーションセンター FS-504
TEL:092-583-7292 FAX:092-583-8962
mail

KOINE研究プラットフォーム:機能デバイス

3C-SiC結晶は、Si基板上にエピタキシャル成長するので低コスト化・大口径化が容易であること、Si-CMOSと類似のデバイス作製ができるのでプロセスの低コスト化が図れること、等の利点があります。当該プラットフォームでは、「3C-SiC基板の高品質化とそのデバイス化技術の創製」を目指します。成功すれば、高温で動作するデバイスの創製に繫がります。

採択プロジェクト

  1. JST知的クラスター創成事業Ⅱ「福岡先端システムLSI開発拠点構想」
    代表、2007∼2011年度
  2. 半導体理工学センター(STARC)共同研究
    分担(代表:宮尾 正信)、2007∼2009年度
  3. JST・産学共同シーズイノベーション化事業・顕在化ステージ
    代表、2006年度

採択科学研究費

  1. JSPS科研費・基盤研究(B)、代表:王冬、2017∼2019年度
  2. JSPS科研費・基盤研究(B)、代表:王冬、2014∼2016年度
  3. JSPS科研費・基盤研究(A)、代表、2013∼2015年度
  4. JSPS科研費・挑戦的萌芽研究、代表、2013∼2014年度
  5. JSPS科研費・基盤研究(A)、代表、2009∼2011年度

その他採択事業等

  1. 文部科学省・卓越研究員事業(山本 圭介)、2016∼2020年度
クリーンルーム全景

クリーンルーム全景

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