第21回 GICセミナー

「SiCパワーデバイス:Siパワーを原点とした技術進展の歴史と製品化動向」

日 時 令和2年 2月7日(金)14:00~16:00
場 所 グローバルイノベーションセンター 3F 研修室 (九州大学筑紫キャンパス
講 師 九州大学グローバルイノベーションセンター客員教授、
エア・ウォーター株式会社 SIC事業部 技術開発グループリーダー 川村 啓介 氏
講 演
概 要

持続可能かつ 豊かな低炭素社会の実現に向け、高効率な電力変換システムへの期待が高まる中、電力
を自在に変換・制御する電子部品である『パワーデバイス』の技術革新が進んでいる。
これまでパワーデバイスの材料には、主にシリコン(Si)が使用されてきたが、近年、炭化ケイ素(SiC)や
窒化ガリウム(GaN)などの、いわゆるワイドギャップ半導体を用いたパワーデバイスで Siを凌駕する
性能(低損失化、高耐圧化、高速性など)が実証され、既にソーラー発電用パワコン、鉄道、産業用
モーター、各種電気機器用の電源や小型・急速充電器などのアプリケーションで、その実用化が始まっ
ている。
本講演では、ワイドギャップ半導体パワーの特徴をSiパワーと比較しながら解説するとともに、特に SiCパワーに焦点をあて、その技術開発の歴史や実用化の最新動向などを紹介する。

世話人 九州大学グローバルイノベーションセンター アドバンストプロジェクト部門 教授 中島 寛
定 員 60名(先着順)
申込み

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   jim@gic.kyushu-u.ac.jp
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グローバルイノベーションセンター事務室 担当:小濵(おばま)
【TEL】092-583-7883
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