九州大学 グローバルイノベーションセンター

持続可能かつ 豊かな低炭素社会の実現に向け、高効率な電力変換システムへの期待が高まる中、電力
を自在に変換・制御する電子部品である『パワーデバイス』の技術革新が進んでいる。
これまでパワーデバイスの材料には、主にシリコン(Si)が使用されてきたが、近年、炭化ケイ素(SiC)や
窒化ガリウム(GaN)などの、いわゆるワイドギャップ半導体を用いたパワーデバイスで Siを凌駕する
性能（低損失化、高耐圧化、高速性など）が実証され、既にソーラー発電用パワコン、鉄道、産業用
モーター、各種電気機器用の電源や小型・急速充電器などのアプリケーションで、その実用化が始まっ
ている。
本講演では、ワイドギャップ半導体パワーの特徴をSiパワーと比較しながら解説するとともに、特に SiCパワーに焦点をあて、その技術開発の歴史や実用化の最新動向などを紹介する。