第20回 GICセミナー

―2次元材料のエレクトロニクス応用と新産業創出へのオープンイノベーション―
                       

日 時 2019年 11月15日(金) 14:30~17:00
  講演1. 14:30~15:45
  講演2. 15:45~17:00

場 所 グローバルイノベーションセンター3F 研修室 (九州大学筑紫キャンパス
講演者

講演1.東京大学大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻 准教授 長汐 晃輔 氏

講演2.キオクシア株式会社(旧 東芝メモリ(株))メモリ技術研究所 フェロー、
        九州大学グローバルイノベーションセンター 客員教授 西山 彰 氏

講 演
概 要

【講演1.2次元層状半導体エレクトロニクス】
  次世代エレクトロニクスを牽引する大規模集積回路において、超低消費電力化と高性能化を同時
 に実現する新規チャネル素子トランジスタ(FET)の重要性に疑いの余地はない。 その候補として、
 グラフェンに端を発し様々な層状物質系の電界効果トランジスタ(FET)が注目されている。
  本講演では、2次元層状物質に関する基礎物性から電界効果トランジスタ特性までを議論したい。   *本講演は総合理工学府の講義「物質理工学特論第一」の一部として行います。

【講演2. IoT社会を支える半導体、これからの進化】
  半導体は産業界のコメといわれ、20世紀後半から情報社会の基盤技術として大きく発展して
 きた。近年はIoT(Internet of Things)の概念が広く浸透し、従来のプロセッサ・メモリそれぞれ
 の進化に加え、インターフェースの多様化、伝送高度化、さらに判断系の進化が求められている。
 5GやAIという新しい潮流から見える、半導体開発の方向性を述べていく。

世話人 九州大学グローバルイノベーションセンター アドバンストプロジェクト部門 教授 吾郷 浩樹
定 員 60名(先着順)
申込み

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   jim@gic.kyushu-u.ac.jp
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グローバルイノベーションセンター事務室 担当:小浜(おばま)
【TEL】092-583-7883
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